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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      40

      通（tōng）道极性：

      N沟（gōu）道

      封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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